Intel 4工艺芯片已准备投产

　　据英特尔最新对外公布的信息，Intel 4工艺芯片已准备投产型材桁，它将用于包括Meteor Lake（14代酷睿流星湖）处理器、ASIC网络产品等。

　　同时，Intel 3频率抖动、20A（其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A进展一切顺利，甚至还略有提前。其中Intel 3工艺芯片将在明年下半年投产，用于Granite Rapids和Sierra Forest数据中心产品频率去相关。

　　据悉，从Intel 3开始，将采用全新的RibbonFET晶体管取代当前的FiFET，引入革命性的PowerVias背面供电技术。所谓RibbonFET其实就是Inetl对于GAA（环绕栅极）晶体管的改进，后者已被三星3nm首发。

　　对于摩尔定律的创新以继续满足世界对计算的指数级增长需求，在IEDM 2022上，英特尔展示了保持摩尔定律活力所需的前瞻性和具体研究进展。

　　英特尔表示，基于Hybrid bonding的下一代3D封装技术可以将集成密度提高10倍，同时间距缩小到3微米，使得多芯片互联可媲美目前的单芯片设计；使用仅3个原子厚的2D新材料，在常温下以低漏电流实现了双栅结构上晶体管近乎理想的开关，同时可在单芯片上装入更多的晶体管凯发在线赌场，进一步为高性能和可扩展的晶体管通道铺平了道路；可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存及堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片上打造FeRAM双栅场效晶体管。